VeOS

全谱直读光谱仪

 

OBLF  VeOS采用特别为直读光谱仪研发制造的尖端半导体光敏检测器,可以对所有常见金属材料进行多功能、灵活且快速地分析。

 

由于背部照明,VeOS 的光学器件对于短波元素具有最高的灵敏度。

主要特点
       
技术参数

帕邢-龙格架法

所有光学及测量器件均安置在真空室中

光学系统恒温设定于+5

可承受最大为15/小时的温度变化

凹面光栅,焦距500毫米

光栅刻线数2700/毫米

波长范围130nm-780nm

 

激发光路直接进入真空室

最小的泄露,减少真空泵的运转时间

计算机控制真空泵,运转时间小于5%

旋片式真空泵

真空隔断阀

 

专利设计的自清洁火花台

最优化的低氩气消耗

气动样品夹用于快速夹持样品

开放式样品台适应各种形状样品

电极寿命大于十万次

 

脉冲放电光源(GDS-III

多火花分析系统

全部固态电路,无辅助间隙

完全免维护

所有激发参数全部由光谱仪的计算机控制

激发光源频率最高为1000赫兹

具有防止短路功能

 

全部安置在真空室中,不受外界环境的影响

所有控制信号通讯使用光导纤维

积分模块

多通路电子系统

V24接口与计算机连接

模块化设计,方便添加通道

 

 

专为直读光谱仪研发制造的半导体光敏检测器

三种固态检测器

短波元素具有极高的灵敏度

 

Windows7操作系统

自动分析程序选择

分析数据直接以重量百分比输出

对一个样品多次分析的结果进行平均和对重现性的检查

完全标准化

类型标准化

酸溶铝及酸不溶铝和夹杂物的分析(可选)

样品牌号鉴定

动态控制分析测量过程

分析元素的背景校正、谱线重叠、元素间干扰及100%基本校正

特殊合金曲线建立功能

完整的、开放的曲线回归功能

完整的样品管理系统

远端数据传输

在每一次分析前进行系统检查

输出日期/时间,程序名称,样品名称等

 

宽度:740mm       

深度:1150mm

高度:1340mm     

重量:300kg

仪器使用温度:10~30℃

 

220V±10%50/60Hz

耗电量1.5千瓦

分析一个样品时间小于16秒钟

接地电阻< 4Ω

 

纯度:99.995%以上

 

 

光学系统
真空系统
激发台
光源

数据采集系统

检测器

光谱仪软件

尺寸及重量
电源要求
氩气供应(用户提供)

技术特点

OBLF光谱仪的稳定性及耐用性十分优秀,原因是该仪器在硬件及软件上采用了国际领先的技术。

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光学系统采用真空光室,光学及电子元器置于真空保护中,可不受外界环境变化的影响,重现性及长期稳定性极佳。
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专为直读光谱仪研发制造的尖端半导体光敏检测器,其感光能力比常规检测器高
开放式的电极架设计,可以调整的样品夹,便于各种形状和尺寸的样品分析。
没有任何需要定期更换的易损件,真正做到一次投入,终身受益。
真空泵的运行时间小于全部运行时间的
倍以上,完美覆盖全部检测波长范围
5%
,工作环境及其安静。